マイクロレーザアニール装置

マイクロレーザアニール装置
YIELDSCAN MLA
マイクロレーザアニール装置

マイクロレーザアニール(µLA)装置は、マスクパターンで制御された微小ビームを、基板上の特定の位置へ照射します。µLA装置により、ベース基板を高温にすることなく、マクロメータオーダの微小領域の薄膜を、結晶化、活性化、高誘電化するなど改質することができます。

特長

実績

半導体量産工場で使用されています。

仕様

ワークサイズ 6インチ、8インチ
位置決め精度 ±5µm
レーザ 波長 248nm
パルス幅 20ns
出力 30W
スループット 3min / wafer (6インチ)
照射 Mask Projection, Top flat beam
Min Sq 10µm / Max Sq 2.4mm
Several pattern on 9inch Mask
装置寸法 W3,200 × D4,000 × H2,500
(With automatic wafer handling)
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