® SLA
近年、半導体デバイスの構造は複雑化しており、製造工程において、表面の局所のみの温度を高める熱処理プロセスが必要とされています。当社が開発したレーザアニール装置はこのようなニーズに対応しており、主に高機能イメージセンサ分野で量産装置として使用されています。また、他分野への応用を目的とした研究開発活動にも取り組んでいます。
浅い領域と深い領域の同時活性化
（イオン注入条件：P/750keV、B/40keV）
深い領域のみの活性化
（イオン注入条件：P/3MeV）
活性化プロセスの用途にて、半導体メーカーに採用されています。
※ YIELDSCAN：登録商標番号6553271
